[发明专利]制造半导体器件的方法

摘要

一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤在半导体衬底上形成绝缘膜,并在绝缘膜上形成多个下布线;形成具有倒悬形式的第一绝缘膜,覆盖下布线和绝缘膜表面;在第一绝缘膜上形成包含有机物的涂敷绝缘膜;烘焙包含有机物的涂敷绝缘膜;对包含有机物的涂敷绝缘膜的一部分深腐蚀;在第一绝缘膜和包含有机物的涂敷绝缘膜上形成第二绝缘膜;抛光第二绝缘膜,使其表面平面化;腐蚀第一绝缘膜和第二绝缘膜的预定部分,形成达到下布线的孔;将金属材料掩埋进孔中。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：步骤(A)，在半导体衬底上形成绝缘膜，然后在所述绝缘膜上形成多个下布线；步骤(B)，利用等离子体增强化学汽相淀积法，形成具有倒悬形式的第一绝缘膜，覆盖所述下布线和所述绝缘膜表面；步骤(C)，利用旋涂法，在所述第一绝缘膜上形成包含有机物的涂敷绝缘膜；步骤(D)，烘焙所述包含有机物的涂敷绝缘膜；步骤(E)，利用干腐蚀法，深腐蚀部分所述包含有机物的涂敷绝缘膜；步骤(F)，利用等离子体增强化学汽相淀积法，在所述第一绝缘膜和所述包含有机物的涂敷绝缘膜上形成第二绝缘膜；和步骤(G)，利用化学机械抛光法抛光所述第二绝缘膜，使其表面平面化。