[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供有多个存储器单元的半导体存储器,可不进行光刻工艺就形成在电容绝缘膜上形成的、且通过在其上的层间绝缘膜与配置的上层布线的连接。在半导体存储器中,通过设置在绝缘膜中的开孔与扩散区连接,在形成电容器下部电极时,还在存储器单元阵列相邻的区域,与电容器下部电极相同的层中同时设置虚设电极。通过电容绝缘膜形成电容器上部电极,通过在其上形成的层间绝缘膜的开孔,将埋设在夹在虚设电极沟中的电容器上部电极与上层电极连接。

主权项

1．一种半导体存储器的制造方法，该半导体存储器具有配置多个存储器单元的存储器阵列，所述存储器单元有在基片上按柱状形成的下部电极，和在下部电极上形成的电容绝缘膜和上部电极，其特征在于该方法包括：在所述存储器单元阵列的所述下部电极形成时，在同一工艺中，形成由与所述下部电极相同的构件构成的虚设图形，在所述存储器单元阵列的所述下部电极和所述虚设图形上形成所述电容绝缘膜后，在用所述存储器单元阵列的所述电容绝缘膜覆盖的所述下部电极和所述虚设图形之间的区域中，通过埋设导电构件形成所述上部电极。