[发明专利]冷发射电极及其制造方法和采用这种电极的显示装置无效
| 申请号： | 99103112.1 | 申请日： | 1999-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1242592A | 公开（公告）日： | 2000-01-26 |
| 发明（设计）人： | 中村修;铃木滋生;森裕一;平间浩则 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机株式会社;斯坦雷电气株式会社 |
| 主分类号： | H01J1/30 | 分类号： | H01J1/30;H01J9/02;H01J17/06;H01J17/49 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过利用电阻加热或电子束进行沉积或溅镀在由基于Ni－Cr的材料制成的基片表面上形成钇膜。在一含有非常少量的氢的惰性气体环境中加热来氢化钇膜。所得钇氢化物极适用作冷发射电极的冷发射材料,并能用于冷发射放电荧光管。 | ||
| 搜索关键词： | 发射 电极 及其 制造 方法 采用 这种 显示装置 | ||
【主权项】：
1、一种冷发射电极，包括一电极基片和一形成在所述电极基片上的氢化物，此氢化物由选自Sc、Y、La、Ce、Gd、Lu、Th、U和Np组成的族中的至少一个元素制成的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡西欧计算机株式会社;斯坦雷电气株式会社，未经卡西欧计算机株式会社;斯坦雷电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99103112.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
