[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 99103132.6 | 申请日： | 1999-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN1230024A | 公开（公告）日： | 1999-09-29 |
| 发明（设计）人： | 熊代成孝 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/76 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏,余朦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的半导体器件具有这样的隔离结构,在形成于硅衬底上的n阱层与p阱层之间形成沟槽,并用二氧化硅填充沟槽。磷用作构成n阱层的n型杂质,硼用作构成p阱层的p型杂质,并且硼的浓度分布峰值位于沟槽侧壁部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，具有这样的隔离结构，填充有氧化硅膜的沟槽隔离形成于硅衬底上的n阱层与p阱层，其特征在于，构成p阱层的硼沿衬底深度方向的浓度分布峰值位于沟槽的侧壁部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99103132.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：单纺锤驱动型纤维机械
- 下一篇：用低粘度的水促进植物生长
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
