[发明专利]半导体器件制造方法无效
申请号: | 99103425.2 | 申请日: | 1999-03-30 |
公开(公告)号: | CN1230769A | 公开(公告)日: | 1999-10-06 |
发明(设计)人: | 井上显 | 申请(专利权)人: | 日本电气株式会社 |
主分类号: | H01L21/3205 | 分类号: | H01L21/3205;H01L21/324;H01L21/28 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏,余朦 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 在硅衬底1的杂质扩散层9、10的表面上形成了一层钴膜12和一层作为防氧气的阻挡膜的氮化钛膜13之后,在低于400℃的温度下进行第一热处理,形成一层Co2Si膜31。利用硫酸和过氧化氢的混合溶液将该氮化钛膜和未发生反应的钴膜清除掉,随后在700~900℃的温度范围内的一个温度下进行另一次热处理,形成一层CoSi2膜。根据本发明,穿透扩散层的硅化钴齿钉的产生将被抑制,使漏电流得到了良好控制并因此获得良好的晶体管特性以及较高的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,其特征在于包括如下步骤:在其中形成有一个杂质扩散层的硅衬底上形成一层钴膜,及利用热处理在与所述钴膜相接触的一个硅层内形成一层硅化钴;其中所述热处理包括如下步骤:通过在低于400℃的一个温度下进行第一热处理形成Co2Si膜;及通过进行第二热处理形成CoSi2膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社,未经日本电气株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/99103425.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:从气流中除去二氧化碳的方法
- 下一篇:电子装置和数据通信方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造