[发明专利]半导体器件的升压电路无效
| 申请号： | 99105825.9 | 申请日： | 1999-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN1232268A | 公开（公告）日： | 1999-10-20 |
| 发明（设计）人： | 三木淳范 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/407 | 分类号： | G11C11/407 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,傅康 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种升压电路,该升压电路具有多个串联连接的升压单元,每个升压单元具有一个转移晶体管和一个电容器,将转移晶体管的输入端子、漏极和栅极连接起来,转移晶体管的源极为输出端子,电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极,一个时钟信号供给电容器的第二端子,其中,转移晶体管是由一个三重阱构成的,该三重阱具有第一阱和第二阱,第一阱形成在一个半导体衬底上,第二阱形成在第一阱上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 升压 电路 | ||
【主权项】：
1．一种升压电路，具有多个串联连接的升压单元，每个升压单元具有一个转移晶体管和一个电容器，将转移晶体管的输入端子、漏极和栅极连接起来，转移晶体管的源极为输出端子，电容器的第一端子连接至转移晶体管的源极，一个时钟信号供给电容器的第二端子，其特征在于：转移晶体管是由一个三重阱构成的，该三重阱具有第一阱和第二阱，第一阱形成在一个半导体衬底上，第二阱形成在第一阱上，并且该半导体衬底连接至一个参考电压，第一阱中的扩散层、第二阱中的第一扩散层、第二阱中的第二扩散层、电容器的第一端子以及转移晶体管的栅极连接起来，第一阱的导电类型与第一阱中的扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型与第二阱中的第一扩散层的导电类型是相同的，第二阱的导电类型不同于第二阱中的第二扩散层的导电类型。
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