[发明专利]制造半导体存储器件的电容器的方法无效
| 申请号： | 99109088.8 | 申请日： | 1999-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN1239816A | 公开（公告）日： | 1999-12-29 |
| 发明（设计）人： | 金贤洙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/316;H01L21/318;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜,余朦 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体存储器件的改进的电容器，能够防止存储电极间的桥接，增大电容器的表面积，其制造方法包括以下步骤在包括栓塞的第一绝缘层上形成第二绝缘层；利用存储电极形成掩模腐蚀第二绝缘层，直到暴露栓塞和部分第一绝缘层，从而形成存储电极开口；在存储电极开口的两侧壁上形成导电间隔层，以便与栓塞电连接；及在导电间隔层和栓塞的表面上形成HSG(半球晶粒)层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体 存储 器件 电容器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体存储器件的电容器的方法，包括以下步骤：在形成晶体管的半导体衬底上形成第一绝缘层；利用接触孔形成掩模腐蚀所述第一绝缘层以形成接触孔；用导电材料填充所述接触孔，从而形成电连接所述半导体衬底的栓塞；在包括所述栓塞的所述第一绝缘层上形成第二绝缘层；利用存储电极形成掩模腐蚀所述第二绝缘层，直到暴露所述栓塞和部分所述第一绝缘层，从而形成存储电极开口；在所述存储电极开口的两侧壁上形成导电间隔层，所述导电间隔层与所述栓塞电连接；及在所述导电间隔层和所述栓塞的表面上形成HSG(半球晶粒)，从而形成由所述导电间隔层和HSG层构成的存储电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
