[发明专利]半导体存储器无效

专利信息
申请号: 99109810.2 申请日: 1999-07-14
公开(公告)号: CN1241784A 公开(公告)日: 2000-01-19
发明(设计)人: 铃木三佐男 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: G11C11/401 分类号: G11C11/401
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 穆德骏,余朦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体存储器,包括通过尺寸缩小的传输总线与许多寄存器连接的存储器阵列。可以实现传输总线尺寸的缩小而不显著提高数据处理速度。半导体存储器可包括多个沿第一方向排列的单元区域(302—0和302—1)。读出放大器组(304—0至304—2)与该单元区域相连,传输总线(310—0/1)沿第一方向排列覆盖所述单元区域。传输总线包括与每个单元区域对应的开关电路。开关电路可将传输总线(301—0/1)划分为若干传输总线线路部分(314—0/1,316—0/1和318—0/1)。
搜索关键词: 半导体 存储器
【主权项】:
1.一种半导体存储器,包括:具有多个沿第一方向排列的单元区域的存储器单元阵列;与每个单元区域对应的读出放大器电路;和沿第一方向延伸覆盖单元区域的传输总线,传输总线包括与每个单元区域对应的开关电路,该开关电路将传输总线划分为多个传输总线部分。
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