[发明专利]提高半导体集成电路器件中深沟槽电容的集成方案

摘要

一种适用于半导体集成电路器件的沟槽电容器结构和用来制作此结构的工艺流程。借助于含有由织构的半球形晶粒硅组成的电容器平板,沟槽电容器提供了增大了的电容。为了减轻电容器储存电荷的消耗,沟槽电容器还包括掩埋平板。

主权项

1．一种确定半导体衬底中沟槽的沟槽结构，所述沟槽结构包含沟槽侧壁、用所述沟槽侧壁周围的所述半导体衬底中的导电物质掺杂的硅构成的掩埋平板、以及沿部分所述沟槽侧壁的织构硅结构，至少部分所述织构硅结构与所述掩埋平板接触。