[发明专利]动态随机存取存储器的电容器条无效
| 申请号： | 99110456.0 | 申请日： | 1999-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1281252A | 公开（公告）日： | 2001-01-24 |
| 发明（设计）人： | 加利·B·布郎奈尔;卡尔·J·拉登;于尔根·惠特曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司;西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制作沟槽电容器的方法,它包含下列步骤在衬底中制作沟槽,用第一导电材料局部地填充沟槽,用颈圈材料在第一导电材料上镶衬沟槽的一部分,将颈圈材料腐蚀到沟槽顶部以下的条深度,以及用第二导电材料填充沟槽,其中位于条深度与沟槽顶部之间的第二导电材料的一部分包含掩埋条。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 电容器 | ||
【主权项】：
1．一种制作沟槽电容器的方法，它包含下列步骤：在衬底中制作沟槽；用第一导电材料局部地填充所述沟槽；用颈圈材料在所述第一导电材料上镶衬所述沟槽的一部分；将所述颈圈材料腐蚀到所述沟槽顶部以下的条深度；以及用第二导电材料填充所述沟槽，其中位于所述条深度与所述沟槽的所述顶部之间的所述第二导电材料的一部分包含掩埋条。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
