[发明专利]降低半导体功率器件结温的工艺流程无效
| 申请号： | 99117069.5 | 申请日： | 1999-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN1287385A | 公开（公告）日： | 2001-03-14 |
| 发明（设计）人： | 李寿华 | 申请（专利权）人： | 广州市高科通信设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H05K7/20 |
| 代理公司： | 广东专利事务所 | 代理人： | 李潮瑞 |
| 地址： | 510630 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种降低半导体功率器件结温的工艺流程。它由散热器、半导体功率器件、硅脂、导热和绝缘的材料、三防保护材料,安装生产过程组成。采用了本安装工艺流程加工和材料,可使半导体功率器件与不采用此类材料和安装方式相比,半导体功率器件结温可降低8—10℃。应用于开关电源上可使开关电源可靠性比原来相应提高几倍,体积缩小,重量减轻。 | ||
| 搜索关键词： | 降低 半导体 功率 器件 工艺流程 | ||
【主权项】：
1、一种降低半导体功率器件结温的工艺流程，其特特征在于将半导体功率器件的散热器的安装面先用铣床，后用磨床进行机械加工，随后用铝材化学研磨剂进行化学研磨，上述完成后，将导热绝缘片两面涂上硅脂，半导体功率器件安装面涂上硅脂，三个零件固定在一起，送入烘箱高温去潮，去潮后，立即对半导体器件喷三防材料，室温贮存1-4小时，半导体功率器件表面出现一层保护膜。
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