[发明专利]双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列无效
| 申请号： | 99118366.5 | 申请日： | 1993-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN1256519A | 公开（公告）日： | 2000-06-14 |
| 发明（设计）人： | 朴炯和;斯蒂芬·霍华德·沃尔德曼 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种高密度的衬底极板沟槽DRAM单元存储器件及其工艺,毗邻深沟槽电容器形成一隐埋区域,以使DRAM转移FET的衬底能与半导体衬底上的其它FET电绝缘。隐埋层被穿通区域接触其周界线,完成其隔离。由于较好的控制寄生器件,联合区域减少了电荷损失。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 极板 动态 随机存取存储器 单元 阵列 | ||
【主权项】：
1.一种动态随机存取存储(DRAM)器件，包括：多个安排在半导体衬底表面的深槽；和每个同一衬底极板沟槽DRAM单元有关联的第一种多个沟槽包括：一个转移器件、一个数据节点和一个同做在深槽内的电容器极板相连接的存储节点，并同衬底的一个区域相耦连；其特征在于还包括：一个贯通所说的沟槽的反型半导体材料的隐埋区域；以及一个包围在深槽矩阵周围并同隐埋区域相接触的表面扩散隔离区域，使得在矩阵内的衬底区域在电学上和结构上同衬底的其余部分相隔离。
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