[发明专利]具有迭式电容器的动态随机存取存储器及其制作方法无效
| 申请号： | 99119259.1 | 申请日： | 1999-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1246733A | 公开（公告）日： | 2000-03-08 |
| 发明（设计）人： | 笠井直记;饭塚敏洋 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在每个存储单元中包括一个MOSFET和一个迭式电容器的DRAM。迭式电容器包括一个基本上为圆柱型的下电极、一个容纳于圆柱型下电极中的上电极、一层在其间起隔离作用的电容器电介质膜。下电极的圆柱型形状允许在电容器和电容器触点之间的较大的对准偏差。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电容器 动态 随机存取存储器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括多个存储单元的DRAM，其特征在于，每个存储单元包括一个具有一个栅电极及一对扩散区的MOSFET；一个迭式电容器，该迭式电容器有一个圆柱型的下电极、一个上电极、以及一层夹在所述上电极和所述下电极之间的电容器电介质膜，其中至少上电极的一部分被容纳于所述下电极；以及一个用于将其中一个所述扩散区连接到所述下电极的电容器触点。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
