[发明专利]半导体衬底及其制备方法无效
| 申请号： | 99119561.2 | 申请日： | 1999-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN1245971A | 公开（公告）日： | 2000-03-01 |
| 发明（设计）人： | 盐田活 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L27/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 为了提供可用作适合制备高频晶体管的SOI衬底的半导体衬底,采用如下制备半导体衬底的方法,该方法具有将含有半导体层区的第一基板与第二基板键合的步骤和去除第一基板而在第二基板留下半导体层区的步骤,其中根据第二基板的成分,确定在键合气氛中p－型杂质浓度和n－型杂质浓度之间的数量关系。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体衬底的方法，包括将含有半导体层区的第一基板与第二基板键合的步骤和去除第一基板而在第二基板上留下该半导体层区的步骤，其中根据第二基板的成分，确定进行键合步骤时的气氛中的n-型杂质浓度和p-型杂质浓度之间的数量关系。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
