[实用新型]锑－铟系化合物半导体磁阻式电流传感器无效
| 申请号： | 99236150.8 | 申请日： | 1999-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN2379915Y | 公开（公告）日： | 2000-05-24 |
| 发明（设计）人： | 黄钊洪 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G01R15/00 |
| 代理公司： | 华南理工大学专利事务所 | 代理人： | 罗观祥 |
| 地址： | 510631*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型是锑－铟系化合物半导体磁阻式电流传感器。它由磁阻芯片、导体、永磁体、铁磁性薄片、基片连接构成,其连结关系为芯片粘固于基片上,基片与铁磁薄片粘结,铁磁性薄片与永磁体粘结,导体一根横跨芯片与其它绕过磁阻元件导体并联。本实用新型尤其适用弱小电流场合,灵敏度高,稳定性好、易于制造。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 磁阻 电流传感器 | ||
【主权项】：
1、一种锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器，其特征在于：它由锑-铟系化合物磁阻半导体磁阻芯片(1)、导体(2)、永磁体(3)、铁磁性物质薄片(4)、用来支承磁阻芯片的基片(5)共同相互联结构成，其相互联结关系为：磁阻芯片(1)通过粘结剂或真空蒸镀、溅射方法固定在基片(5)上，基片(5)通过粘结剂与铁磁性物质薄片(4)粘合，铁磁性物质薄片(4)通过粘结剂与永磁体(3)粘合，导体(2)整根横跨磁阻芯片(1)。
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