[发明专利]电可擦除可编程分裂栅的存储单元

摘要

一种具有控制栅(24)和浮栅(22)类型的电可擦除可编程分裂栅存储单元(10)的制造方法,其中控制栅和浮栅横向地间隔开,浮栅横向与控制栅和隔离(26)自对准。

主权项

1．一种电可擦除可编程的存储单元的制造方法，所述存储单元在半导体衬底中有第一和第二隔开的区域，沟道位于两者之间，浮栅与所述衬底隔离，并位于所述沟道的第一部分上，控制栅与所述衬底绝缘，与所述浮栅隔开，并位于所述沟道的第二部分上，第二部分与所述第一部分不同，形成所述浮栅和控制栅的制造方法包括：在所述衬底上提供第一绝缘材料层；在所述第一绝缘材料层上提供第一多晶硅层；构图并选择除去部分所述第一多晶硅层；在所述构图的第一多晶硅层上提供第二绝缘材料层；选择性地掩蔽部分所述第二绝缘材料层，以在所述对应的第一多晶硅层中定义一区域，该区域将变成所述浮栅；各向异性地腐蚀所述第二绝缘材料层；各向同性地腐蚀所述第二绝缘材料层；各向异性地腐蚀所述第一多晶硅层，由所述第一多晶硅层形成所述浮栅；氧化所述第一多晶硅层的露出部分形成陡直的边缘；将二氧化硅淀积在所述第二绝缘材料层上和所述第一多晶硅层已氧化的露出部分上；将第二多晶硅层淀积在所述淀积的二氧化硅上；各向异性地腐蚀所述第二多晶硅层形成所述控制栅。