[发明专利]电阻率测量用外延晶片的制备工艺无效
| 申请号： | 99806464.5 | 申请日： | 1999-05-05 |
| 公开（公告）号： | CN1302454A | 公开（公告）日： | 2001-07-04 |
| 发明（设计）人： | 吉奥瓦尼·瓦卡里 | 申请（专利权）人： | MEMC电子材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01R27/26 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及对其表面上具有n－型或p－型外延层的硅晶片进行评价的方法,在第一实施例中,通过在有氧条件下把晶片暴露于紫外线,在n－型外延晶片表面上形成氧化层。然后对晶片进行电容－电压测量,评价外延层性能。在第二实施例中,通过在晶片表面上经过包含惰性载体气体和氢氟酸蒸汽的气态混合物,从p－型外延晶片表面溶解氧化层。然后对晶片进行电容－电压测量,评价外延层性能。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻率 测量 外延 晶片 制备 工艺 | ||
【主权项】：
1．一种对其表面上具有n-型外延层的硅晶片进行评价的方法，该方法包括：通过在含氧气氛中把晶片暴露于紫外线，氧化晶片表面；以及对氧化的晶片进行电容-电压测量以评价n-型外延层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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