[发明专利]由若干阻性铁电存储单元组成的存储装置有效
| 申请号： | 99808819.6 | 申请日： | 1999-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN1309810A | 公开（公告）日： | 2001-08-22 |
| 发明（设计）人： | O·科瓦里克;K·霍夫曼 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 程天正,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种由若干阻性铁电存储单元组成的存储装置,所述存储单元均由选择晶体管(T)和存储电容(C铁)组成,而所述存储电容的一个电极(PL)位于固定的单元极板电压上,其另一电极(SN)则连接在所述选择晶体管(T)的具有第一导通型的第一区(1)上,其中,所述选择晶体管(T)和存储电容(C铁)装设在与第一导通型相反的第二导通型半导体基片内或上。与所述存储电容(C铁)相连的、选择晶体管(T)的电极(1)通过电阻(R)和MOS晶体管(n+)而被连接在存储电容的一个电极(PL)上,且所述MOS晶体管的沟道长度延伸了至少两个存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 若干 阻性铁电 存储 单元 组成 装置 | ||
【主权项】：
1．由若干阻性铁电存储单元组成的存储装置，所述存储单元均由选择晶体管(T)和存储电容(C铁)组成，而所述存储电容的一个电极(PL)位于固定的单元极板电压(V极板)上，其另一电极(SN)则连接在所述选择晶体管的具有第一导通型的区(1)上，其中，所述选择晶体管(T)和存储电容(C铁)装设在与第一导通型相反的第二导通型的半导体基片内或上，其特征在于：与所述存储电容(C铁)相连的、选择晶体管(T)的区(1)通过一个电阻(R)连接在MOS晶体管(n+)的沟道上，所述MOS晶体管的沟道长度延伸了至少两个存储单元，而且其漏极与源极位于固定的单元极板电压(V极板)上，这样，与所述存储电容(C铁)相连的区(1)通过所述电阻(R)及MOS晶体管(n+)而被电气地连接在存储电容(C铁)的一个电极(PL)上。
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