[发明专利]部分还原铌金属氧化物的方法和脱氧的铌氧化物无效
| 申请号： | 99811568.1 | 申请日： | 1999-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1320103A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 詹姆斯·A·法伊夫 | 申请（专利权）人： | 卡伯特公司 |
| 主分类号： | C01G1/02 | 分类号： | C01G1/02;C01G35/00;C01G33/00;H01G9/042;C04B35/495 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 张平元 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明所描述的是至少部分地还原铌氧化物的方法,其中该方法包括在消气材料(gettermaterial)存在下对铌氧化物进行热处理,该热处理是在允许氧原子从起始的铌氧化物转移至消气材料的气氛中进行的,并且在足够的温度下进行足够的时间,以形成脱氧的铌氧化物。本发明也描述了铌的氧化物和/或低价氧化物,还描述了包含由该铌氧化物和低价氧化物制成的阳极的电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 部分 还原 金属 氧化物 方法 脱氧 | ||
【主权项】：
1．一种至少部分还原铌氧化物的方法，包括在消气材料存在下，于允许氧原子从起始的铌氧化物转移至消气材料的气氛中，对铌氧化物进行足够时间与温度的热处理，以形成脱氧的铌氧化物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于卡伯特公司，未经卡伯特公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/99811568.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
