[发明专利]用于低介电常数材料的氧化抛光淤浆无效
| 申请号： | 99813618.2 | 申请日： | 1999-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN1334849A | 公开（公告）日： | 2002-02-06 |
| 发明（设计）人： | D·L·托维里;N·H·亨德里克斯;P·E·施林;T·A·陈 | 申请（专利权）人： | 联合讯号公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴大建,周慧敏 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于除去低介电常数材料的氧化淤浆。该淤浆用非氧化颗粒与独立的氧化剂、单独氧化剂颗粒或可还原的研磨剂颗粒与相容性氧化剂形成。该颗粒可以由金属氧化物、氮化物或碳化物材料通过其本身或其混合物形成,或可涂在芯材料例如二氧化硅上,或可用它们共同形成。优选的氧化淤浆具有多峰粒径分布。尽管为用于CMP半导体加工而开发,但本发明的氧化淤浆也可用于其它高精度抛光工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 介电常数 材料 氧化 抛光 | ||
【主权项】：
1.一种用于抛光低介电常数材料或含有较大百分率的有机物质的材料的研磨剂组合物，所述组合物包含：氧化淤浆，包括许多研磨剂颗粒，所述淤浆包含能与所述介电材料反应的氧化剂，以帮助除去所述介电材料。
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