[发明专利]集成电路芯片的保护方法无效
| 申请号： | 99815562.4 | 申请日： | 1999-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1333919A | 公开（公告）日： | 2002-01-30 |
| 发明（设计）人： | O·布鲁尼特;D·埃尔巴茨;B·卡尔瓦斯;P·帕特里斯 | 申请（专利权）人： | 格姆普拉斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋,张志醒 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于保护一个硅晶片(10)上的集成电路芯片(100),包括一下步骤切割硅晶片(10),把集成电路芯片(100)分开;晶片的背面(104)上加流体绝缘材料(150)以用薄的绝缘层覆盖每个集成电路芯片(100)的侧面(106)。绝缘材料可以用喷涂、丝网印刷、浸涂,浇注或其他方式来施加。本发明还涉及一种集成电路芯片,其侧面通过一种绝缘材料来防止由于导电材料接触芯片的侧面引起的电故障。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 芯片 保护 方法 | ||
【主权项】：
1.硅晶片(10)上的集成电路芯片(100)的保护方法，晶片有其上设有集成电路芯片的正面和相对的背面，其特征是，方法包括以下步骤：切割硅晶片(10)，把集成电路芯片(100)分开；晶片的背面(104)上加流体绝缘材料(150)，用薄的绝缘层覆盖每个集成电路芯片(100)的侧面(106)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
